Pagrindiniai fotoelektrinės įrangos reikalavimai termoelementams: Fotoelektrinės gamybos procesas apima aukštą temperatūrą ir korozinę aplinką, o termoelementų veikimas yra griežtas:
1. Aukštos temperatūros atsparumas
Monokristalinės silicio augimo krosnies (krištolo traukimo krosnies) temperatūra turi pasiekti daugiau nei 1500 laipsnių, o ** B tipas (platinum rhodium 30- platinos rodis 6) arba S tipas (Platinum rhodium 10-} platinos) termoelementai.
Ląstelės sukepinimo proceso temperatūra yra apie 800-1000 laipsnį, o K-tipo (nikelio-chromio-nickelio-silicon) arba N-tipo (nikelio-chromio-silicon-nickel-silicon) termoelementai paprastai naudojami.
2. Atsparumas korozijai
Silicio lydymo ir dengimo procese yra silicio garų ir rūgščių dujų, o termoelemento apvalkalo medžiaga turi būti atspari korozijai (pvz., Keramika, didelio grynumo aliuminio oksido, kvarco vamzdžiai).
3. Ilgalaikis stabilumas
Fotoelektrinė įranga yra nuolat valdoma, o termoelementas turi išlaikyti tikslumą (paklaida<± 1.5°C) at high temperatures, and the life span is usually 1-3 years.
Pagrindiniai fotoelektrinės įrangos termoelementų taikymo scenarijai
Proceso nuorodos temperatūros diapazono termoelemento tipo techniniai reikalavimai
Monokristalinis siliconas 1400-1600 laipsnis S tipo, B tipo aukštas tikslumas, mažas dreifas
Ląstelių sukepinimas 800-1000 laipsnis k tipo, n tipo greitas atsakas, anti-oksidacija